Для производства был разработан специальный техпроцесс, где вся структура ячейки формируется за одну операцию литографии и травления на заранее подготовленной многослойной заготовке, что уменьшает количество производственных этапов, что теоретически снижает риск брака и себестоимость.
По заявлению разработчиков, опытные образцы демонстрируют время задержки при чтении на уровне 50 наносекунд, что сравнимо с показателями современной памяти DDR5, при этом время удержания заряда без регенерации достигает 470–500 секунд, что значительно превышает аналогичный параметр обычной DRAM. Тесты на надёжность при температуре 85 °C показали стабильность работы ячейки.
Основной потенциальной областью применения новой технологии называются встраиваемые решения (eDRAM) и трёхмерная стековая память, а не прямая замена модулей оперативной памяти в привычном виде. Несмотря на многообещающие лабораторные результаты, о сроках коммерциализации технологии говорить рано. Как и в случае с другими перспективными типами памяти, таким как ReRAM или MRAM, путь от опытного образца до массового производства может занять многие годы.
🤪 Инсайдер: в Fortnite добавят Человека-Бензопилу
+9
Поделиться:
НовостиЖелезо и технологии
Об авторе
Рост цен на память GDDR7 может лишить рынок RTX 5060 Ti с 16 ГБ
Как вырастить ОЗУ: учёные превратили грибы в оперативную память
Представлена память нового поколения SRAM: меньше размер, меньше энергии, выше скорость
В США разработали фотонную память, работающую без преобразования в электричество
NVIDIA перестала поставлять память для видеокарт партнерам
По материалам: vgtimes.ru
